最新新闻:

基于matlab的建模与仿真设计「拓扑建模」

时间:2023-02-13 15:41:00来源:搜狐

今天带来基于matlab的建模与仿真设计「拓扑建模」,关于基于matlab的建模与仿真设计「拓扑建模」很多人还不知道,现在让我们一起来看看吧!

1.前言:

通常情况下,电力电子仿真是可以分为三个等级。第一级是系统级,在系统级仿真中往往更关注系统之间的能量流动,频率调节,电压调整,系统中的各组成元件往往是变流器或者火电厂,储能电站等等,仿真时间尺度在s级以上,常用软件是MATLAB/Simulink,PSCAD等等,往往是对算法进行验证,而忽略具体某一个单元内部的特性;第二级是变流器级,在变流器级仿真,有两种情况,如果是做算法仿真,往往会把开关管等效成理想开关,忽略开关暂态,如果是传统算法,通过各种控制换来最终生成调制波,如果是智能算法,可能需要高速的传感器采样开关周期的电压/电流波形,代入智能化算法最终得到驱动波形或者ref值。常用仿真软件如,PSIM,saber,PLECS,MATLAB/Simulink;第三级是是器件级,器件级的仿真,往往需要器件的暂态特性,在电力电子中就是开通及关断特性,通常需要采用spice模型(下文在介绍软件时会对spicer模型进行通俗的解释)。,常用软件是saber,LTspice,Pspice等等。LTspice优点是软件小,免费,但是当需要多次运行修改参数的时候,往往需要手动调节(作者经过摸索能通过MATLAB调用简单的LTspice模型,有时间可以分享下),同样saber也不具有这种多次调用并自动修改参数的特点,而且saber软件较难上手。。。

因此,在此背景之下,作者推荐一款基于MATLAB/SIMSCAPE的仿真平台,它可以利用MATLAB的m语言多次调用,除此之外,它还具有以下优点

1.内部集成了效率测试,损耗测试,EMI测试(仅仅是对仿真,只能作为参考!!!!),只需要一句代码就能实现

2.还可以多个仿真模型并行运行(电脑配置得给力)。除此之外,它还支持多物理场联合仿真,比如电,热,力,磁等等。

3.还支持跨时间尺度仿真,一个系统里可以由系统级仿真,变流器级仿真以及器件级仿真。

4.支持Embedded coder代码自动生成,大大提高开发效率

这么多优点,你难道不想pick一下吗!!

由于这方面资料比较少,作者在研究的时候,主要以官网资料,论坛大佬,以及MATLAB开发者的通信交流等渠道,在这里把近期的经验分享一下,希望可以帮助到各位。

由于内容较多,因此把分享的主题分为三部分,第一部分是器件级建模,第二部分是拓扑级建模,第三部分是多物理场建模。

本次分享主要分为两块,

一、对Simscape工具箱做简要介绍,与大家常用的Simpowersystem相比较的优缺点。

二、如何针对器件级建模其中一种方法,并且将建模得到的器件进行测试,测试结果会和器件里的datasheet波形进行比较。

(第一次发帖,可能有很多做的还不好,大家多提提意见,一定多多采纳。。。)

2.Simscape简介

Simscape是MATLAB/Simulink下的工具箱,其支持多域物理场建模(电,热,磁,力),本身自带了大量的例程以及库文件。下图是将大家相对熟悉的Simpowersystem与Simscape在应用范围上做一个简单的对比。

(图来自MATLAB某次技术交流视频,在这里做交流使用,若侵请联系,立刻删,谢谢)

跟据这个对比图可以清楚的看到,Simscape更适合器件级及拓扑级,Simpowersystem更适合拓扑级和系统及。此外,Simscape相对Simpowersystem(新版本改成了Specialized,估计使用新版本MATLAB的用户还不多,因此为方便交流,还按老版本的命名来)精确度更高,可以建立SPICE级别的器件仿真,但是相对而言其建立的仿真规模要小于Simpowersystem。

常用的库界面展示:

如上图所示就是simscape的界面,因为本次主要是分享电力电子相关,因此主要介绍下基础库和电子库,电子库里面常用的就是半导体和变换器库,其它库大家感兴趣可以自行搜索哈。

3.器件级仿真应用

然后就是本次分享的重点部分,介绍下如何根据datasheet配置simscape里的器件,在这里以英飞凌公司的IPPO23NO8N5为例。

上图右边就是Simscape库里面拖拽出来的MOSFET,双击打开信息面板,下面我将会对比datasheet与面板信息逐一填写。

1. MOS/IGBT主体参数

a. Drain-source on resistance,R_Ds(on)(导通阻抗)

一般datasheet会给两个值或三个值,选取平均值即可,经过测试,影该不大

b. Drain current,Ids, for R_DS(on):(漏极电流)

需注意,此漏极电流是对于R_DS(on):而言,因此参照上一个截图,应该是10A(该参数对结果影响较大)

只看datasheet,并不能得到最佳匹配结果,会导致误差变大。

c. Gate-source voltage, Vgs, for R_DS(on):(栅源电压)

同理,该参数也是对于R_DS(on):而言,因此参照上一个截图,应该是10V(该参数对结果影响较大)

d. Gate-source threshold voltage,Vth:(栅源门槛电压)

经过验证,此数据是最小电压貌似更为准确。但是只对仙童FDP20N50F这个器件而言,目前不具有一般性。

e. Channel modulation, L:(通道调制)

VI给的是0,官网给的典型值是0.02。(该参数将会影响Id-Vds在Vds较大的时候的趋势)

沟道长度调制效应是指MOS晶体管中,栅下沟道预夹断后、若继续增大Vds,夹断点会略向源极方向移动。导致夹断点到源极之间的沟道长度略有减小,有效沟道电阻也就略有减小,从而使更多电子自源极漂移到夹断点,导致在耗尽区漂移电子增多,使Id增大的效应。

以在加栅压Vgs且形成导电沟道的情况下的NMOSFET为例。若漏源电压Vds增大至不可忽略,沟道电压降增大直至Vgd=VT时,由于栅漏之间电压差降低,漏端附近反型层消失,称为沟道夹断。若继续增大Vds,夹断点将向源端移动,故"看起来",有效沟道长度减小,称为沟道调制效应。

f. Measurement temperature:(通道调制)

25℃。这个没问题

g. Source ohmic resistance:(源极阻抗)

VI用的0.08,help默认是0.025,datasheet没有给,貌似他这个更准确…

h. Drain ohmic resistance:(源极阻抗)

VI用的0.08,help默认是0.025,datasheet没有给,貌似他这个更准确…

2. MOS/IGBT电容参数

a. Input capacitance, Ciss:(输入电容)

参照datasheet即可(较小的)

b. Reverse transfer capacitance, Crss:(反向传输电容)

参照datasheet即可(较小的)

c. Output capacitance, Coss:(输出电容)

参照datasheet即可(较小的)

3. MOS/IGBT体二极管参数

a. Built-in voltage:(建立电压)

参照datasheet即可(影响不大)

b. Transit time:(暂态时间)

参照datasheet即可(影响不大)

其余参数直接默认即可。

4.器件级仿真测试

在这里我们选择Simscape自带的测试模型,输入我们前面设置的参数即可,

可以在command命令输入:

>>ee_mosfet

上图就是Simscape自带的器件测试平台。

(datasheet)

仿真结果:

(Simscape中的moseft模型)

仿真结果可以看到,当vgs>6V时,波形和datasheet较为吻合,根据datasheet,用于驱动开关管时,GS电压一般取15V左右。

此外,在这里再分享另一种建模的仿真结果,该方法是将SPICE模型转化Simscape的库,但是仿真速度会比较慢,同时需要略懂一些SPICE语言,仿真结果如下:

仿真结果几乎和datasheet完全一致,如果大家感兴趣,下次写的时候再分享给大家。

声明:文章仅代表原作者观点,不代表本站立场;如有侵权、违规,可直接反馈本站,我们将会作修改或删除处理。

图文推荐

热点排行

精彩文章