“探针”《硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法》意见征求

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硅单晶是典型的元素半导体材料，具有优良的热性能与机械性能，是目前重要、用途广泛的半导体材料。一般而言，硅单晶的电阻率是直接、重要的参数，直接反映出了晶体的纯度和导电能力，在器件设计时，根据器件的种类、特性以及制作工艺等条件，对硅单晶的电阻率的均匀和可靠都有一定的要求。

对硅单晶电阻率的测试就至关重要，目前测试硅单晶电阻率一般利用原理简单、数据处理简便的探针法，但已有的标准对该方法的使用环境要求过于严格，很多企业和实验室无法满足，因此在充分考虑四探针和两探针法的干扰因素后，信息产业部专用材料质量监督检验中心 、中国电子科技集团公司第四十六研究所在国家标准化管理委员会的主管下，对原标准进行了制修订。

据悉，《硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法》的修订工作是根据《国家标准委关于下达2018年第三批国家标准制修订计划的通知》进行的，严格遵循了GB/T 1.1-2009《标准化工作导则 第1部分：标准的结构和编写》的原则进行编制。相较于原标准，主要变动如下：修改了两种测试方法的环境温度条件为23℃5℃；修改了两种测试方法的干扰因素，将测试在暗室进行改为测试尽量在光线较暗的环境或遮光罩中进行；方法1直排四探针法硅单晶电阻率范围按P型和N型分别规定；方法1直排四探针法中增加了对使用试剂的要求；方法1直排四探针法7.1.1中增加了探针的形状；方法1直流四探针法中细化了超声清洗步骤；方法2直流两探针法中增加了干扰因素等。

阅读标准征求意见稿后可知，直排四探针法需要工具显微镜、机械或电子厚度测量仪、研磨或喷砂设备、散热器、千分尺或游标卡尺、温度计或其他测温仪器、欧姆计等仪器设备，原理是排列成一直线的四根探针垂直地压在近似为半无穷大的平坦试样表面上，将直流电流在两外探针间通入试样，测量内侧两探针间所产生的电势差，根据测得的电流和电势差值进行计算即可。直流两探针法的原理是让直流电流通过试样两端，并使两根探针垂直压在试样侧面，测量两根探针间的电位差后，根据公式即可计算出电阻率，而这一试验的结果准确率受光照、电阻率不均匀、电磁、电场、温度探针振动的影响，因此需分别在5个实验室进行循环试验，以确保结果的精密与准确。

本标准是对GB/T 1551-2009《《硅单晶电阻率的测定方法》》的修订和补充，仅修订了试验技术内容和格式，与现行的有关法律、法规及国家标准、国家军用标准、行业标准没有冲突。为此希望相关单位在仔细研核后能提出建设性的意见，为标准的科学性、适用性和可行性添砖加瓦。

更多详情请点击：《硅单晶电阻率的测定 直排四探针法和直流两探针法》征求意见稿

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