ITO靶材靶材电子束镀膜镀膜电子束蒸发料【参数说明】

ITO靶材磁控溅射靶材电子束镀膜蒸发材料

【参数说明】

支持目标定制，请提供目标产品的元素、比例（重量比或原子比）和规格，我们会尽快报价！！

【产品描述】

在化学上，ITO 是 Indium Tin Oxides 的缩写。

作为纳米铟锡金属氧化物，具有良好的导电性和透明性，可以隔绝对人体有害的电子辐射、紫外线和远红外线。因此，通常将氧化铟锡喷涂在玻璃、塑料和电子显示屏上，用作透明导电膜，同时减少有害的电子辐射和紫外线和红外线。

在氧化物导电薄膜中，Sn掺杂的In2O3(ITO)薄膜具有较高的透射率和良好的导电性，在酸性溶液中易于蚀刻精细图案，其透光率在90%以上。在ITO中，其透过率和电阻受In2O3和SnO2的比例控制，通常SnO2:In2O3=1:9。

ITO薄膜层的电阻率一般在5*10E-4左右，可以达到5*10E-5，接近金属的电阻率。在实际应用中，ITO的导电性往往以薄层电阻为特征。ITO薄膜的透光率和电阻分别由In2O3和SnO2的比例控制。增加氧化铟的比例可以提高ITO的透光率。通常SnO2:In2O3=1:9，因为氧化锡的厚度超过200Å时，透明度通常不够好——虽然导电性很好。

如果电流平行流过ITO薄膜，其中d为薄膜厚度，I为电流，L1为薄膜厚度在电流方向的长度，L2为薄膜垂直方向的长度到当前。在正方形导电膜的情况下，层电阻R=PL1/dL2 其中P是导电膜的电阻率，对于给定的膜层，P和d可以看作是常数值，P/d，当L1= L2，对于正方形薄膜层的电阻，无论正方形大小，都是一个固定值P/d，即正方形电阻的定义：R□=P/d，其中R□的单位为：ohm/□(Ω/□)，可以得出薄层电阻与IOT膜的电阻率P和ITO膜的厚度d有关，ITO膜的电阻值越低氧化铟锡(ito)，

STN液晶显示器使用的ITO玻璃的R□可达10Ω/□左右，膜厚为100-200nm，而一般低档TN产品的ITO玻璃的R□为100-300Ω /□，膜厚为20-30nm。.

【关于我们】

服务项目：目标材料的比例、规格、纯度可按需定制。科研单位货到付款，质量保证，售后无忧！

产品配件：产品出厂附装箱单/质检单/产品真空包装

适用仪器：各类磁控溅射、热蒸发、电子束蒸发设备

质量控制：严格控制生产过程，采用辉光放电质谱GDMS或ICP光谱等多种检测手段分析杂质元素含量，确保材料的高纯度和细晶粒度；可提供质检报告。

加工流程：冶炼→提纯→锻造→机加工→检测→包装发货

陶瓷复合靶材本身较脆氧化铟锡(ito)，导热性差。长时间连续溅射时容易出现靶材开裂。结合背靶后，可以提高复合靶的导热性，增加靶的使用寿命。我们强烈建议您在购买陶瓷复合靶材时必须绑定铜背靶材！

我公司采用高纯铟作为焊料，铟焊料厚度约为0.2mm，背靶采用高纯无氧铜。

注意：高纯铟的熔点约为156℃，靶材的工作温度超过熔点，会导致铟熔化！绑定后面的目标不影响目标的正常使用！

建议：陶瓷脆靶，烧结靶，大功率溅射易碎，建议溅射功率不超过3W/cm2。

我公司主要经营金属靶材、陶瓷靶材和合金靶材。欢迎您的垂询。

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